集群發力、向高攀登，第三代半導體(tǐ)産(chǎn)業動能(néng)強勁-中(zhōng)國(guó)電(diàn)子科(kē)技(jì )集團有(yǒu)限公(gōng)司

　　“本批訂單共計96台套，将分(fēn)多(duō)批次發貨。”新(xīn)年伊始，一批第三代半導體(tǐ)碳化矽外延裝(zhuāng)備從長(cháng)沙發往用(yòng)戶現場，勾勒出中(zhōng)國(guó)電(diàn)科(kē)第三代半導體(tǐ)産(chǎn)業發展欣欣向榮的圖景。

　　碳化矽外延生長(cháng)設備是碳化矽器件制造專用(yòng)設備中(zhōng)最重要的一類。通過不懈鑽研，電(diàn)科(kē)裝(zhuāng)備48所還推出碳化矽用(yòng)立式低壓化學(xué)氣相沉積設備，成功攻克高潔淨度環境獲得、高穩定壓力控制、高精(jīng)度溫度控制等技(jì )術難題。

　　千裏之外的山(shān)西，中(zhōng)國(guó)電(diàn)科(kē)（山(shān)西）碳化矽材料産(chǎn)業基地生産(chǎn)車(chē)間緊張忙碌，一排排3米高碳化矽單晶生長(cháng)設備表面平靜，裏面2000℃以上的高溫中(zhōng)，正進行着驚人的化學(xué)反應——一個個碳化矽晶錠正在快速生長(cháng)。

　　“碳化矽單晶制備是全球性難題，而高穩定的晶體(tǐ)生長(cháng)工(gōng)藝則是其中(zhōng)最核心的一環。”電(diàn)科(kē)材料技(jì )術專家表示，深耕碳化矽材料和大尺寸單晶“賽道”，團隊着力突破6英寸、8英寸碳化矽産(chǎn)品的技(jì )術難題，順利突破6英寸N型碳化矽襯底産(chǎn)業化技(jì )術，實現6英寸産(chǎn)品規模化生産(chǎn)，産(chǎn)品良率等各項指标得到有(yǒu)效改善，産(chǎn)量産(chǎn)能(néng)再創新(xīn)高，突破大尺寸單晶制備等關鍵難題，順利研制出8英寸碳化矽襯底，并實現小(xiǎo)批量生産(chǎn)。

　　在不斷刷新(xīn)材料、裝(zhuāng)備研制高度的同時，中(zhōng)國(guó)電(diàn)科(kē)持續拓寬器件應用(yòng)廣度。

　　“這是一個1200伏、100安(ān)的碳化矽半導體(tǐ)器件，電(diàn)能(néng)的處理(lǐ)和控制，靠的就是這個。”手持小(xiǎo)小(xiǎo)的器件，技(jì )術專家介紹道。随着新(xīn)能(néng)源汽車(chē)市場快速發展，碳化矽材料研制的器件、模塊在高功率、高頻、高壓、高溫場景下的優勢愈發明顯。相同規格下碳化矽MOSFET的尺寸隻有(yǒu)矽基産(chǎn)品的1/10。與矽基IGBT相比，使用(yòng)碳化矽MOSFET器件，系統能(néng)量損耗可(kě)以降低70%。

　　瞄準新(xīn)能(néng)源車(chē)、智能(néng)電(diàn)網、光伏發電(diàn)、軌道交通等産(chǎn)業需求，國(guó)基南方攻克高效、高頻、高功率寬禁帶半導體(tǐ)技(jì )術的電(diàn)力電(diàn)子器件重大關鍵技(jì )術難題，在碳化矽電(diàn)力電(diàn)子器件等領域取得系列重要創新(xīn)成果。特别是碳化矽MOSFET對标國(guó)際先進，突破多(duō)項關鍵工(gōng)藝，推動建立材料外延、器件設計、芯片制造、模塊封裝(zhuāng)的産(chǎn)業鏈布局，在國(guó)内率先建立了6英寸碳化矽器件工(gōng)藝平台，率先實現多(duō)型号多(duō)尺寸的産(chǎn)品量産(chǎn)和應用(yòng)，滿足百萬輛車(chē)載充電(diàn)裝(zhuāng)置應用(yòng)需求，有(yǒu)力保障汽車(chē)電(diàn)子産(chǎn)業鏈供應鏈安(ān)全。

　　潛心深耕第三代半導體(tǐ)“賽道”，中(zhōng)國(guó)電(diàn)科(kē)科(kē)研人員以實際行動踐行黨的二十大精(jīng)神，立足國(guó)家所需、行業所趨、電(diàn)科(kē)所能(néng)，持續加強共性基礎技(jì )術研究攻關，努力為(wèi)國(guó)家第三代半導體(tǐ)技(jì )術創新(xīn)與産(chǎn)業高質(zhì)量發展作(zuò)出新(xīn)的更大貢獻。